CY7C1515KV18-333BZXI

CY7C1515KV18-333BZXI

Mtengenezaji

Cypress Semiconductor

Aina ya Bidhaa

kumbukumbu

Maelezo

NO WARRANTY

Barua pepe ya RFQ: [email protected] or Inauliza mtandaoni

Vipimo

  • mfululizo
    -
  • kifurushi
    Tray
  • hali ya sehemu
    Active
  • aina ya kumbukumbu
    Volatile
  • muundo wa kumbukumbu
    SRAM
  • teknolojia
    SRAM - Synchronous, QDR II
  • saizi ya kumbukumbu
    72Mb (2M x 36)
  • kiolesura cha kumbukumbu
    Parallel
  • mzunguko wa saa
    333 MHz
  • andika wakati wa mzunguko - neno, ukurasa
    -
  • muda wa kufikia
    -
  • voltage - ugavi
    1.7V ~ 1.9V
  • joto la uendeshaji
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • aina ya ufungaji
    Surface Mount
  • kifurushi / kesi
    165-LBGA
  • kifurushi cha kifaa cha wasambazaji
    165-FBGA (13x15)

CY7C1515KV18-333BZXI Omba Nukuu

Katika Hisa 1689
Kiasi:
Bei ya Kitengo (Bei ya Marejeleo):
60.00000
Bei inayolengwa:
Jumla:60.00000

Karatasi ya data