CY14B512Q2A-SXI

CY14B512Q2A-SXI

Mtengenezaji

Rochester Electronics

Aina ya Bidhaa

kumbukumbu

Maelezo

NON-VOLATILE SRAM, 64KX8, CMOS,

Barua pepe ya RFQ: [email protected] or Inauliza mtandaoni

Vipimo

  • mfululizo
    -
  • kifurushi
    Bulk
  • hali ya sehemu
    Active
  • aina ya kumbukumbu
    Non-Volatile
  • muundo wa kumbukumbu
    NVSRAM
  • teknolojia
    NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • saizi ya kumbukumbu
    512Kb (64K x 8)
  • kiolesura cha kumbukumbu
    SPI
  • mzunguko wa saa
    40 MHz
  • andika wakati wa mzunguko - neno, ukurasa
    -
  • muda wa kufikia
    -
  • voltage - ugavi
    2.7V ~ 3.6V
  • joto la uendeshaji
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • aina ya ufungaji
    Surface Mount
  • kifurushi / kesi
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • kifurushi cha kifaa cha wasambazaji
    8-SOIC

CY14B512Q2A-SXI Omba Nukuu

Katika Hisa 7781
Kiasi:
Bei ya Kitengo (Bei ya Marejeleo):
7.28000
Bei inayolengwa:
Jumla:7.28000

Karatasi ya data