IPP027N08N5AKSA1

IPP027N08N5AKSA1

Mtengenezaji

Rochester Electronics

Aina ya Bidhaa

transistors - fets, mosfets - moja

Maelezo

MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3

Barua pepe ya RFQ: [email protected] or Inauliza mtandaoni

Vipimo

  • mfululizo
    OptiMOS™
  • kifurushi
    Bulk
  • hali ya sehemu
    Active
  • aina ya fet
    N-Channel
  • teknolojia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • futa kwa voltage ya chanzo (vdss)
    80 V
  • mkondo - unyevu unaoendelea (id) @ 25°c
    120A (Tc)
  • voltage ya kuendesha (kiwasha cha juu cha rds, dakika rds imewashwa)
    6V, 10V
  • rds kwenye (max) @ id, vgs
    2.7mOhm @ 100A, 10V
  • vgs(th) (max) @ kitambulisho
    3.8V @ 154µA
  • malipo ya lango (qg) (max) @ vgs
    123 nC @ 10 V
  • vgs (kiwango cha juu)
    ±20V
  • uwezo wa kuingiza (ciss) (max) @ vds
    8.97 pF @ 40 V
  • kipengele cha fet
    -
  • upotezaji wa nguvu (max)
    214W (Tc)
  • joto la uendeshaji
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • aina ya ufungaji
    Through Hole
  • kifurushi cha kifaa cha wasambazaji
    PG-TO220-3
  • kifurushi / kesi
    TO-220-3

IPP027N08N5AKSA1 Omba Nukuu

Katika Hisa 11122
Kiasi:
Bei ya Kitengo (Bei ya Marejeleo):
1.94000
Bei inayolengwa:
Jumla:1.94000

Karatasi ya data