-
-
Bei ya chini kupitia Kiwanda-Moja kwa moja
Fanya kazi na kiwanda cha umeme moja kwa moja ili kukata mtu wa kati. Mpya asili na bei ya chini na punguzo
-
Kuegemea kwa Usalama na Ubora
Mfumo wa bima ya ubora kwa ubora wa juu wa bidhaa. Kwa Wakati, Kila Wakati utoaji wa Vipengele vya Ubora.
-
Zaidi ya Milioni 15 ya Malipo
Zaidi ya 100+ watengenezaji maarufu duniani, zaidi ya orodha milioni 15. Hisa zinapatikana kwa usaidizi wa kununua moja kwa moja kwa bei ya punguzo.
-
Huduma Rafiki kwa Wateja
Suluhisho moja la kusimama lililobinafsishwa kwa mahitaji yako ya kipekee. Usaidizi katika tovuti ya Lugha 12, urahisi zaidi na huduma za haraka.
IRF6216PBF-IR
Barua pepe ya RFQ: [email protected] or Inauliza mtandaoni
Vipimo
-
mfululizoHEXFET®
-
kifurushiBulk
-
hali ya sehemuActive
-
aina ya fetP-Channel
-
teknolojiaMOSFET (Metal Oxide)
-
futa kwa voltage ya chanzo (vdss)150 V
-
mkondo - unyevu unaoendelea (id) @ 25°c2.2A (Ta)
-
voltage ya kuendesha (kiwasha cha juu cha rds, dakika rds imewashwa)-
-
rds kwenye (max) @ id, vgs240mOhm @ 1.3A, 10V
-
vgs(th) (max) @ kitambulisho5V @ 250µA
-
malipo ya lango (qg) (max) @ vgs49 nC @ 10 V
-
vgs (kiwango cha juu)±20V
-
uwezo wa kuingiza (ciss) (max) @ vds1280 pF @ 25 V
-
kipengele cha fet-
-
upotezaji wa nguvu (max)2.5W (Ta)
-
joto la uendeshaji-55°C ~ 150°C (TJ)
-
aina ya ufungajiSurface Mount
-
kifurushi cha kifaa cha wasambazaji8-SO
-
kifurushi / kesi8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
