-
-
Bei ya chini kupitia Kiwanda-Moja kwa moja
Fanya kazi na kiwanda cha umeme moja kwa moja ili kukata mtu wa kati. Mpya asili na bei ya chini na punguzo
-
Kuegemea kwa Usalama na Ubora
Mfumo wa bima ya ubora kwa ubora wa juu wa bidhaa. Kwa Wakati, Kila Wakati utoaji wa Vipengele vya Ubora.
-
Zaidi ya Milioni 15 ya Malipo
Zaidi ya 100+ watengenezaji maarufu duniani, zaidi ya orodha milioni 15. Hisa zinapatikana kwa usaidizi wa kununua moja kwa moja kwa bei ya punguzo.
-
Huduma Rafiki kwa Wateja
Suluhisho moja la kusimama lililobinafsishwa kwa mahitaji yako ya kipekee. Usaidizi katika tovuti ya Lugha 12, urahisi zaidi na huduma za haraka.
IRF6892STRPBF
Barua pepe ya RFQ: [email protected] or Inauliza mtandaoni
Vipimo
-
mfululizoHEXFET®
-
kifurushiBulk
-
hali ya sehemuActive
-
aina ya fetN-Channel
-
teknolojiaMOSFET (Metal Oxide)
-
futa kwa voltage ya chanzo (vdss)25 V
-
mkondo - unyevu unaoendelea (id) @ 25°c28A (Ta), 125A (Tc)
-
voltage ya kuendesha (kiwasha cha juu cha rds, dakika rds imewashwa)4.5V, 10V
-
rds kwenye (max) @ id, vgs1.7mOhm @ 28A, 10V
-
vgs(th) (max) @ kitambulisho2.1V @ 50µA
-
malipo ya lango (qg) (max) @ vgs25 nC @ 4.5 V
-
vgs (kiwango cha juu)±16V
-
uwezo wa kuingiza (ciss) (max) @ vds2.51 pF @ 13 V
-
kipengele cha fet-
-
upotezaji wa nguvu (max)2.1W (Ta), 42W (Tc)
-
joto la uendeshaji-40°C ~ 150°C (TJ)
-
aina ya ufungajiSurface Mount
-
kifurushi cha kifaa cha wasambazajiDIRECTFET™ S3C
-
kifurushi / kesiDirectFET™ Isometric S3C
