RJK1001DPN-E0#T2

RJK1001DPN-E0#T2

Mtengenezaji

Rochester Electronics

Aina ya Bidhaa

transistors - fets, mosfets - moja

Maelezo

MOSFET N-CH 100V 80A TO220AB

Barua pepe ya RFQ: [email protected] or Inauliza mtandaoni

Vipimo

  • mfululizo
    -
  • kifurushi
    Tube
  • hali ya sehemu
    Obsolete
  • aina ya fet
    N-Channel
  • teknolojia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • futa kwa voltage ya chanzo (vdss)
    100 V
  • mkondo - unyevu unaoendelea (id) @ 25°c
    80A (Ta)
  • voltage ya kuendesha (kiwasha cha juu cha rds, dakika rds imewashwa)
    -
  • rds kwenye (max) @ id, vgs
    5.5mOhm @ 40A, 10V
  • vgs(th) (max) @ kitambulisho
    -
  • malipo ya lango (qg) (max) @ vgs
    147 nC @ 10 V
  • vgs (kiwango cha juu)
    -
  • uwezo wa kuingiza (ciss) (max) @ vds
    10 pF @ 10 V
  • kipengele cha fet
    -
  • upotezaji wa nguvu (max)
    200W (Tc)
  • joto la uendeshaji
    150°C (TJ)
  • aina ya ufungaji
    Through Hole
  • kifurushi cha kifaa cha wasambazaji
    TO-220AB
  • kifurushi / kesi
    TO-220-3

RJK1001DPN-E0#T2 Omba Nukuu

Katika Hisa 12865
Kiasi:
Bei ya Kitengo (Bei ya Marejeleo):
2.49000
Bei inayolengwa:
Jumla:2.49000