STGWT60H65DFB

STGWT60H65DFB

Mtengenezaji

STMicroelectronics

Aina ya Bidhaa

transistors - igbts - moja

Maelezo

IGBT 650V 80A 375W TO3P-3L

Barua pepe ya RFQ: [email protected] or Inauliza mtandaoni

Vipimo

  • mfululizo
    -
  • kifurushi
    Tube
  • hali ya sehemu
    Active
  • aina ya igbt
    Trench Field Stop
  • mgawanyiko wa mtozaji wa mtozaji wa voltage (max)
    650 V
  • sasa - mtoza (ic) (max)
    80 A
  • sasa - mtoza mapigo (icm)
    240 A
  • vce(on) (max) @ vge, ic
    2V @ 15V, 60A
  • nguvu - max
    375 W
  • kubadili nishati
    1.09mJ (on), 626µJ (off)
  • aina ya pembejeo
    Standard
  • malipo ya lango
    306 nC
  • td (kuwasha/kuzima) @ 25°c
    51ns/160ns
  • hali ya mtihani
    400V, 60A, 5Ohm, 15V
  • wakati wa kurejesha nyuma (trr)
    60 ns
  • joto la uendeshaji
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • aina ya ufungaji
    Through Hole
  • kifurushi / kesi
    TO-3P-3, SC-65-3
  • kifurushi cha kifaa cha wasambazaji
    TO-3P

STGWT60H65DFB Omba Nukuu

Katika Hisa 7655
Kiasi:
Bei ya Kitengo (Bei ya Marejeleo):
4.42000
Bei inayolengwa:
Jumla:4.42000

Karatasi ya data