TRS16N65FB,S1Q

TRS16N65FB,S1Q

Mtengenezaji

Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

Aina ya Bidhaa

diodes - rectifiers - safu

Maelezo

SIC SBD TO-247 V=650 IF=12A

Barua pepe ya RFQ: [email protected] or Inauliza mtandaoni

Vipimo

  • mfululizo
    -
  • kifurushi
    Tube
  • hali ya sehemu
    Active
  • usanidi wa diode
    1 Pair Common Cathode
  • aina ya diode
    Silicon Carbide Schottky
  • voltage - dc kinyume (vr) (max)
    650 V
  • sasa - wastani iliyorekebishwa (io) (kwa kila diode)
    8A (DC)
  • voltage - mbele (vf) (max) @ if
    1.6 V @ 8 A
  • kasi
    No Recovery Time > 500mA (Io)
  • wakati wa kurejesha nyuma (trr)
    0 ns
  • sasa - uvujaji wa nyuma @ vr
    40 µA @ 650 V
  • joto la uendeshaji - makutano
    175°C
  • aina ya ufungaji
    Through Hole
  • kifurushi / kesi
    TO-247-3
  • kifurushi cha kifaa cha wasambazaji
    TO-247

TRS16N65FB,S1Q Omba Nukuu

Katika Hisa 8806
Kiasi:
Bei ya Kitengo (Bei ya Marejeleo):
6.26000
Bei inayolengwa:
Jumla:6.26000