SI7850DP-T1-E3

SI7850DP-T1-E3

Mtengenezaji

Vishay / Siliconix

Aina ya Bidhaa

transistors - fets, mosfets - moja

Maelezo

MOSFET N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8

Barua pepe ya RFQ: [email protected] or Inauliza mtandaoni

Vipimo

  • mfululizo
    TrenchFET®
  • kifurushi
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • hali ya sehemu
    Active
  • aina ya fet
    N-Channel
  • teknolojia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • futa kwa voltage ya chanzo (vdss)
    60 V
  • mkondo - unyevu unaoendelea (id) @ 25°c
    6.2A (Ta)
  • voltage ya kuendesha (kiwasha cha juu cha rds, dakika rds imewashwa)
    4.5V, 10V
  • rds kwenye (max) @ id, vgs
    22mOhm @ 10.3A, 10V
  • vgs(th) (max) @ kitambulisho
    3V @ 250µA
  • malipo ya lango (qg) (max) @ vgs
    27 nC @ 10 V
  • vgs (kiwango cha juu)
    ±20V
  • uwezo wa kuingiza (ciss) (max) @ vds
    -
  • kipengele cha fet
    -
  • upotezaji wa nguvu (max)
    1.8W (Ta)
  • joto la uendeshaji
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • aina ya ufungaji
    Surface Mount
  • kifurushi cha kifaa cha wasambazaji
    PowerPAK® SO-8
  • kifurushi / kesi
    PowerPAK® SO-8

SI7850DP-T1-E3 Omba Nukuu

Katika Hisa 11896
Kiasi:
Bei ya Kitengo (Bei ya Marejeleo):
1.81000
Bei inayolengwa:
Jumla:1.81000

Karatasi ya data