SIAA00DJ-T1-GE3

SIAA00DJ-T1-GE3

Mtengenezaji

Vishay / Siliconix

Aina ya Bidhaa

transistors - fets, mosfets - moja

Maelezo

MOSFET N-CH 25V 20.1A/40A PPAK

Barua pepe ya RFQ: [email protected] or Inauliza mtandaoni

Vipimo

  • mfululizo
    TrenchFET® Gen IV
  • kifurushi
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • hali ya sehemu
    Active
  • aina ya fet
    N-Channel
  • teknolojia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • futa kwa voltage ya chanzo (vdss)
    25 V
  • mkondo - unyevu unaoendelea (id) @ 25°c
    20.1A (Ta), 40A (Tc)
  • voltage ya kuendesha (kiwasha cha juu cha rds, dakika rds imewashwa)
    4.5V, 10V
  • rds kwenye (max) @ id, vgs
    5.6mOhm @ 15A, 10V
  • vgs(th) (max) @ kitambulisho
    2.5V @ 250µA
  • malipo ya lango (qg) (max) @ vgs
    24 nC @ 10 V
  • vgs (kiwango cha juu)
    +16V, -12V
  • uwezo wa kuingiza (ciss) (max) @ vds
    1090 pF @ 12.5 V
  • kipengele cha fet
    -
  • upotezaji wa nguvu (max)
    3.5W (Ta), 19.2W (Tc)
  • joto la uendeshaji
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • aina ya ufungaji
    Surface Mount
  • kifurushi cha kifaa cha wasambazaji
    PowerPAK® SC-70-6 Single
  • kifurushi / kesi
    PowerPAK® SC-70-6

SIAA00DJ-T1-GE3 Omba Nukuu

Katika Hisa 37808
Kiasi:
Bei ya Kitengo (Bei ya Marejeleo):
0.27072
Bei inayolengwa:
Jumla:0.27072

Karatasi ya data