SISS94DN-T1-GE3

SISS94DN-T1-GE3

Mtengenezaji

Vishay / Siliconix

Aina ya Bidhaa

transistors - fets, mosfets - moja

Maelezo

MOSFET N-CH 200V 5.4A/19.5A PPAK

Barua pepe ya RFQ: [email protected] or Inauliza mtandaoni

Vipimo

  • mfululizo
    TrenchFET®
  • kifurushi
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • hali ya sehemu
    Active
  • aina ya fet
    N-Channel
  • teknolojia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • futa kwa voltage ya chanzo (vdss)
    200 V
  • mkondo - unyevu unaoendelea (id) @ 25°c
    5.4A (Ta), 19.5A (Tc)
  • voltage ya kuendesha (kiwasha cha juu cha rds, dakika rds imewashwa)
    7.5V, 10V
  • rds kwenye (max) @ id, vgs
    75mOhm @ 5.4A, 10V
  • vgs(th) (max) @ kitambulisho
    4V @ 250µA
  • malipo ya lango (qg) (max) @ vgs
    21 nC @ 10 V
  • vgs (kiwango cha juu)
    ±20V
  • uwezo wa kuingiza (ciss) (max) @ vds
    350 pF @ 100 V
  • kipengele cha fet
    -
  • upotezaji wa nguvu (max)
    5.1W (Ta), 65.8W (Tc)
  • joto la uendeshaji
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • aina ya ufungaji
    Surface Mount
  • kifurushi cha kifaa cha wasambazaji
    PowerPAK® 1212-8S
  • kifurushi / kesi
    PowerPAK® 1212-8S

SISS94DN-T1-GE3 Omba Nukuu

Katika Hisa 21747
Kiasi:
Bei ya Kitengo (Bei ya Marejeleo):
0.96000
Bei inayolengwa:
Jumla:0.96000