IS46DR16160B-3DBLA1

IS46DR16160B-3DBLA1

Mtengenezaji

ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)

Aina ya Bidhaa

kumbukumbu

Maelezo

IC DRAM 256MBIT PARALLEL 84TWBGA

Barua pepe ya RFQ: [email protected] or Inauliza mtandaoni

Vipimo

  • mfululizo
    -
  • kifurushi
    Tray
  • hali ya sehemu
    Active
  • aina ya kumbukumbu
    Volatile
  • muundo wa kumbukumbu
    DRAM
  • teknolojia
    SDRAM - DDR2
  • saizi ya kumbukumbu
    256Mb (16M x 16)
  • kiolesura cha kumbukumbu
    Parallel
  • mzunguko wa saa
    333 MHz
  • andika wakati wa mzunguko - neno, ukurasa
    15ns
  • muda wa kufikia
    450 ps
  • voltage - ugavi
    1.7V ~ 1.9V
  • joto la uendeshaji
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • aina ya ufungaji
    Surface Mount
  • kifurushi / kesi
    84-TFBGA
  • kifurushi cha kifaa cha wasambazaji
    84-TWBGA (8x12.5)

IS46DR16160B-3DBLA1 Omba Nukuu

Katika Hisa 9773
Kiasi:
Bei ya Kitengo (Bei ya Marejeleo):
5.69885
Bei inayolengwa:
Jumla:5.69885

Karatasi ya data