IXTP1R4N120P

IXTP1R4N120P

Mtengenezaji

Wickmann / Littelfuse

Aina ya Bidhaa

transistors - fets, mosfets - moja

Maelezo

MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO220AB

Barua pepe ya RFQ: [email protected] or Inauliza mtandaoni

Vipimo

  • mfululizo
    Polar™
  • kifurushi
    Tube
  • hali ya sehemu
    Active
  • aina ya fet
    N-Channel
  • teknolojia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • futa kwa voltage ya chanzo (vdss)
    1200 V
  • mkondo - unyevu unaoendelea (id) @ 25°c
    1.4A (Tc)
  • voltage ya kuendesha (kiwasha cha juu cha rds, dakika rds imewashwa)
    10V
  • rds kwenye (max) @ id, vgs
    13Ohm @ 500mA, 10V
  • vgs(th) (max) @ kitambulisho
    4.5V @ 100µA
  • malipo ya lango (qg) (max) @ vgs
    24.8 nC @ 10 V
  • vgs (kiwango cha juu)
    ±20V
  • uwezo wa kuingiza (ciss) (max) @ vds
    666 pF @ 25 V
  • kipengele cha fet
    -
  • upotezaji wa nguvu (max)
    86W (Tc)
  • joto la uendeshaji
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • aina ya ufungaji
    Through Hole
  • kifurushi cha kifaa cha wasambazaji
    TO-220AB
  • kifurushi / kesi
    TO-220-3

IXTP1R4N120P Omba Nukuu

Katika Hisa 8979
Kiasi:
Bei ya Kitengo (Bei ya Marejeleo):
3.70260
Bei inayolengwa:
Jumla:3.70260

Karatasi ya data