Vipimo

• mfululizo
  POWER MOS V®
• kifurushi
  Tube
• hali ya sehemu
  Active
• aina ya fet
  N-Channel
• teknolojia
  MOSFET (Metal Oxide)
• futa kwa voltage ya chanzo (vdss)
  100 V
• mkondo - unyevu unaoendelea (id) @ 25°c
  100A (Tc)
• voltage ya kuendesha (kiwasha cha juu cha rds, dakika rds imewashwa)
  10V
• rds kwenye (max) @ id, vgs
  11mOhm @ 50A, 10V
• vgs(th) (max) @ kitambulisho
  4V @ 2.5mA
• malipo ya lango (qg) (max) @ vgs
  450 nC @ 10 V
• vgs (kiwango cha juu)
  ±30V
• uwezo wa kuingiza (ciss) (max) @ vds
  10300 pF @ 25 V
• kipengele cha fet
  -
• upotezaji wa nguvu (max)
  520W (Tc)
• joto la uendeshaji
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• aina ya ufungaji
  Through Hole
• kifurushi cha kifaa cha wasambazaji
  TO-264 (L)
• kifurushi / kesi
  TO-264-3, TO-264AA