FGD3N60UNDF

FGD3N60UNDF

Mtengenezaji

Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor

Aina ya Bidhaa

transistors - igbts - moja

Maelezo

IGBT 600V 6A 60W DPAK

Barua pepe ya RFQ: [email protected] or Inauliza mtandaoni

Vipimo

  • mfululizo
    -
  • kifurushi
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • hali ya sehemu
    Active
  • aina ya igbt
    NPT
  • mgawanyiko wa mtozaji wa mtozaji wa voltage (max)
    600 V
  • sasa - mtoza (ic) (max)
    6 A
  • sasa - mtoza mapigo (icm)
    9 A
  • vce(on) (max) @ vge, ic
    2.52V @ 15V, 3A
  • nguvu - max
    60 W
  • kubadili nishati
    52µJ (on), 30µJ (off)
  • aina ya pembejeo
    Standard
  • malipo ya lango
    1.6 nC
  • td (kuwasha/kuzima) @ 25°c
    5.5ns/22ns
  • hali ya mtihani
    400V, 3A, 10Ohm, 15V
  • wakati wa kurejesha nyuma (trr)
    21 ns
  • joto la uendeshaji
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • aina ya ufungaji
    Surface Mount
  • kifurushi / kesi
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • kifurushi cha kifaa cha wasambazaji
    TO-252, (D-Pak)

FGD3N60UNDF Omba Nukuu

Katika Hisa 19747
Kiasi:
Bei ya Kitengo (Bei ya Marejeleo):
1.06000
Bei inayolengwa:
Jumla:1.06000

Karatasi ya data