Vipimo

• mfululizo
  HEXFET®
• kifurushi
  Bulk
• hali ya sehemu
  Active
• aina ya fet
  N-Channel
• teknolojia
  MOSFET (Metal Oxide)
• futa kwa voltage ya chanzo (vdss)
  55 V
• mkondo - unyevu unaoendelea (id) @ 25°c
  39A (Tc)
• voltage ya kuendesha (kiwasha cha juu cha rds, dakika rds imewashwa)
  10V
• rds kwenye (max) @ id, vgs
  16.5mOhm @ 28A, 10V
• vgs(th) (max) @ kitambulisho
  4V @ 250µA
• malipo ya lango (qg) (max) @ vgs
  72 nC @ 10 V
• vgs (kiwango cha juu)
  ±20V
• uwezo wa kuingiza (ciss) (max) @ vds
  1.696 pF @ 25 V
• kipengele cha fet
  -
• upotezaji wa nguvu (max)
  3.8W (Ta), 107W (Tc)
• joto la uendeshaji
  -55°C ~ 175°C (TJ)
• aina ya ufungaji
  Through Hole
• kifurushi cha kifaa cha wasambazaji
  TO-262
• kifurushi / kesi
  TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA