FDU6N50TU

FDU6N50TU

Mtengenezaji

Rochester Electronics

Aina ya Bidhaa

transistors - fets, mosfets - moja

Maelezo

MOSFET N-CH 500V 6A I-PAK

Barua pepe ya RFQ: [email protected] or Inauliza mtandaoni

Vipimo

  • mfululizo
    UniFET™
  • kifurushi
    Bulk
  • hali ya sehemu
    Active
  • aina ya fet
    N-Channel
  • teknolojia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • futa kwa voltage ya chanzo (vdss)
    500 V
  • mkondo - unyevu unaoendelea (id) @ 25°c
    6A (Tc)
  • voltage ya kuendesha (kiwasha cha juu cha rds, dakika rds imewashwa)
    10V
  • rds kwenye (max) @ id, vgs
    900mOhm @ 3A, 10V
  • vgs(th) (max) @ kitambulisho
    5V @ 250µA
  • malipo ya lango (qg) (max) @ vgs
    16.6 nC @ 10 V
  • vgs (kiwango cha juu)
    ±30V
  • uwezo wa kuingiza (ciss) (max) @ vds
    940 pF @ 25 V
  • kipengele cha fet
    -
  • upotezaji wa nguvu (max)
    89W (Tc)
  • joto la uendeshaji
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • aina ya ufungaji
    Through Hole
  • kifurushi cha kifaa cha wasambazaji
    I-PAK
  • kifurushi / kesi
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

FDU6N50TU Omba Nukuu

Katika Hisa 25335
Kiasi:
Bei ya Kitengo (Bei ya Marejeleo):
0.41000
Bei inayolengwa:
Jumla:0.41000

Karatasi ya data