IPD088N04LGBTMA1

IPD088N04LGBTMA1

Mtengenezaji

Rochester Electronics

Aina ya Bidhaa

transistors - fets, mosfets - moja

Maelezo

MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3

Barua pepe ya RFQ: [email protected] or Inauliza mtandaoni

Vipimo

  • mfululizo
    OptiMOS™
  • kifurushi
    Bulk
  • hali ya sehemu
    Obsolete
  • aina ya fet
    N-Channel
  • teknolojia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • futa kwa voltage ya chanzo (vdss)
    40 V
  • mkondo - unyevu unaoendelea (id) @ 25°c
    50A (Tc)
  • voltage ya kuendesha (kiwasha cha juu cha rds, dakika rds imewashwa)
    4.5V, 10V
  • rds kwenye (max) @ id, vgs
    8.8mOhm @ 50A, 10V
  • vgs(th) (max) @ kitambulisho
    2V @ 16µA
  • malipo ya lango (qg) (max) @ vgs
    28 nC @ 10 V
  • vgs (kiwango cha juu)
    ±20V
  • uwezo wa kuingiza (ciss) (max) @ vds
    2.1 pF @ 20 V
  • kipengele cha fet
    -
  • upotezaji wa nguvu (max)
    47W (Tc)
  • joto la uendeshaji
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • aina ya ufungaji
    Surface Mount
  • kifurushi cha kifaa cha wasambazaji
    PG-TO252-3
  • kifurushi / kesi
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

IPD088N04LGBTMA1 Omba Nukuu

Katika Hisa 42552
Kiasi:
Bei ya Kitengo (Bei ya Marejeleo):
0.24000
Bei inayolengwa:
Jumla:0.24000

Karatasi ya data