PDTD113EQAZ

PDTD113EQAZ

Mtengenezaji

Rochester Electronics

Aina ya Bidhaa

transistors - bipolar (bjt) - moja, kabla ya upendeleo

Maelezo

PDTD113 - 50V, 500 MA UPN RESIST

Barua pepe ya RFQ: [email protected] or Inauliza mtandaoni

Vipimo

  • mfululizo
    Automotive, AEC-Q101
  • kifurushi
    Bulk
  • hali ya sehemu
    Active
  • aina ya transistor
    NPN - Pre-Biased
  • sasa - mtoza (ic) (max)
    500 mA
  • mgawanyiko wa mtozaji wa mtozaji wa voltage (max)
    50 V
  • upinzani - msingi (r1)
    1 kOhms
  • upinzani - msingi wa emitter (r2)
    1 kOhms
  • dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce
    33 @ 50mA, 5V
  • vce kueneza (max) @ ib, ic
    100mV @ 2.5mA, 50mA
  • sasa - kata ya mtoza (max)
    500nA
  • mzunguko - mpito
    210 MHz
  • nguvu - max
    325 mW
  • aina ya ufungaji
    Surface Mount
  • kifurushi / kesi
    3-XDFN Exposed Pad
  • kifurushi cha kifaa cha wasambazaji
    DFN1010D-3

PDTD113EQAZ Omba Nukuu

Katika Hisa 334202
Kiasi:
Bei ya Kitengo (Bei ya Marejeleo):
0.03000
Bei inayolengwa:
Jumla:0.03000

Karatasi ya data