RDD050N20TL

RDD050N20TL

Mtengenezaji

ROHM Semiconductor

Aina ya Bidhaa

transistors - fets, mosfets - moja

Maelezo

MOSFET N-CH 200V 5A CPT3

Barua pepe ya RFQ: [email protected] or Inauliza mtandaoni

Vipimo

  • mfululizo
    -
  • kifurushi
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • hali ya sehemu
    Not For New Designs
  • aina ya fet
    N-Channel
  • teknolojia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • futa kwa voltage ya chanzo (vdss)
    200 V
  • mkondo - unyevu unaoendelea (id) @ 25°c
    5A (Ta)
  • voltage ya kuendesha (kiwasha cha juu cha rds, dakika rds imewashwa)
    10V
  • rds kwenye (max) @ id, vgs
    720mOhm @ 2.5A, 10V
  • vgs(th) (max) @ kitambulisho
    4V @ 1mA
  • malipo ya lango (qg) (max) @ vgs
    9.3 nC @ 10 V
  • vgs (kiwango cha juu)
    ±30V
  • uwezo wa kuingiza (ciss) (max) @ vds
    292 pF @ 10 V
  • kipengele cha fet
    -
  • upotezaji wa nguvu (max)
    20W (Tc)
  • joto la uendeshaji
    -
  • aina ya ufungaji
    Surface Mount
  • kifurushi cha kifaa cha wasambazaji
    CPT3
  • kifurushi / kesi
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

RDD050N20TL Omba Nukuu

Katika Hisa 12632
Kiasi:
Bei ya Kitengo (Bei ya Marejeleo):
1.70000
Bei inayolengwa:
Jumla:1.70000

Karatasi ya data