TK3A65DA(STA4,QM)

TK3A65DA(STA4,QM)

Mtengenezaji

Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

Aina ya Bidhaa

transistors - fets, mosfets - moja

Maelezo

MOSFET N-CH 650V 2.5A TO220SIS

Barua pepe ya RFQ: [email protected] or Inauliza mtandaoni

Vipimo

  • mfululizo
    π-MOSVII
  • kifurushi
    Tube
  • hali ya sehemu
    Active
  • aina ya fet
    N-Channel
  • teknolojia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • futa kwa voltage ya chanzo (vdss)
    650 V
  • mkondo - unyevu unaoendelea (id) @ 25°c
    2.5A (Ta)
  • voltage ya kuendesha (kiwasha cha juu cha rds, dakika rds imewashwa)
    10V
  • rds kwenye (max) @ id, vgs
    2.51Ohm @ 1.3A, 10V
  • vgs(th) (max) @ kitambulisho
    4.4V @ 1mA
  • malipo ya lango (qg) (max) @ vgs
    11 nC @ 10 V
  • vgs (kiwango cha juu)
    ±30V
  • uwezo wa kuingiza (ciss) (max) @ vds
    490 pF @ 25 V
  • kipengele cha fet
    -
  • upotezaji wa nguvu (max)
    35W (Tc)
  • joto la uendeshaji
    150°C (TJ)
  • aina ya ufungaji
    Through Hole
  • kifurushi cha kifaa cha wasambazaji
    TO-220SIS
  • kifurushi / kesi
    TO-220-3 Full Pack

TK3A65DA(STA4,QM) Omba Nukuu

Katika Hisa 15603
Kiasi:
Bei ya Kitengo (Bei ya Marejeleo):
1.35520
Bei inayolengwa:
Jumla:1.35520

Karatasi ya data