TRS10E65F,S1Q

TRS10E65F,S1Q

Mtengenezaji

Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

Aina ya Bidhaa

diodes - rectifiers - moja

Maelezo

DODE SCHOTTKY 650V TO220

Barua pepe ya RFQ: [email protected] or Inauliza mtandaoni

Vipimo

  • mfululizo
    -
  • kifurushi
    Tube
  • hali ya sehemu
    Active
  • aina ya diode
    Silicon Carbide Schottky
  • voltage - dc kinyume (vr) (max)
    650 V
  • sasa - wastani iliyorekebishwa (io)
    10A (DC)
  • voltage - mbele (vf) (max) @ if
    1.6 V @ 10 A
  • kasi
    No Recovery Time > 500mA (Io)
  • wakati wa kurejesha nyuma (trr)
    0 ns
  • sasa - uvujaji wa nyuma @ vr
    50 µA @ 650 V
  • uwezo @ vr, f
    36pF @ 650V, 1MHz
  • aina ya ufungaji
    Through Hole
  • kifurushi / kesi
    TO-220-2
  • kifurushi cha kifaa cha wasambazaji
    TO-220-2L
  • joto la uendeshaji - makutano
    175°C (Max)

TRS10E65F,S1Q Omba Nukuu

Katika Hisa 7120
Kiasi:
Bei ya Kitengo (Bei ya Marejeleo):
4.90000
Bei inayolengwa:
Jumla:4.90000